MIR 深度总结 SEMICON CHINA2025  
SEMICON China 是中国规模最大、最全面（涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试、EDA/IP、半导体设备及材料等全产业链）的半导体行业展览会之一。2025 年的  
SEMICON China 展览面积达到 10 万平方米，吸引了全球 1400 多家知名企业参展，展览规模再创历史新高。虽然本次展会已经圆满落幕，但整个市场仍然沉浸在  
对中国半导体快速发展的震撼之中。在本次大会上，MIR 团队亲赴现场，通过深入学习和调研，为大家梳理了重点厂商的最新技术进展和布局，以及中国半导体行业  
的最新发展趋势。  
1. 中国老牌设备厂商技术持续突破，新兴势力建立差异化竞争优势  
1.1 老牌设备厂商  
北方华创：北方华创科技集团股份有限公司（NAURA）成立于 2001 年 9 月，主要产品涵盖刻蚀机、薄膜沉积设备、氧化/扩散炉、清洗机等半导体设备，以及锂  
电、光伏等新能源设备。北方华创是中国半导体设备领域的龙头企业，凭借其先进的技术和完善的产品矩阵，广泛服务于中芯国际、华力微电子等头部厂商。本次展会  
推出首款离子注入机 Sirius MC 313（适配第三代半导体制造）和 12 英寸电镀设备 Ausip T830（专攻 TSV 铜填充工艺），国产化率超 55%，技术对标国际竞品。  
中微公司：中微半导体设备（上海）股份有限公司（AMEC）成立于 2004 年 5 月，核心产品包括等离子体刻蚀设备（CCP、ICP）、MOCVD 设备、LPCVD 设备、  
ALD 设备等，是中国刻蚀设备和 MOCVD 设备的龙头企业。本次展会发布亚埃级（0.2Å）刻蚀精度的 Primo Twin-Star，以及 12 英寸晶圆边缘刻蚀设备 Primo  
Halona，覆盖 5nm 以下先进制程需求，这是全球等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破。  
拓荆科技：拓荆科技股份有限公司（Piotech）成立于 2010 年 4 月，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）、原子层沉积设备（ALD）和次常压  
化学气相沉积设备（SACVD）等。拓荆科技是中国 PECVD 和 SACVD 领域唯一实现产业化应用的供应商。本次展会发布 7 款混合键合设备，覆盖 3D-IC 封装全流程，  
其原子层沉积设备 VS-300T 的坪效比达行业最高，成为国产键合技术从“单点突破”迈向“全链条覆盖”的标志。  
盛美上海：盛美半导体设备（上海）股份有限公司（ACM Research）成立于 2005 年 5 月，是上海市政府科教兴市项目重点引进的集成电路装备企业，主要产品  
包括单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备、前道涂胶显影设备及 PECVD 设备等。本次展会发布 Tahoe-SPM 清洗设备、面板级电  
镀设备 Ultra ECP ap-p 等新品，构建覆盖前道制造至先进封装的全平台能力，订单增长超 30%。  
华海清科：华海清科股份有限公司（Hwatsing）成立于 2013 年 4 月，主要产品包括化学机械抛光（CMP）设备、减薄设备、划切设备、湿法设备、晶圆再生、  
关键耗材与维保服务，是目前中国唯一一家能够为集成电路制造商提供 12 英寸 CMP 商业机型的高端半导体设备制造商。本次展会推出减薄抛光一体机，适配 HBM 高  
带宽存储芯片封装需求，成为中国唯一实现 12 英寸 CMP 设备量产的厂商，技术指标比肩应用材料。  
1.2 新兴势力  
新凯来：深圳市新凯来技术有限公司（SiCarrier）成立于 2021 年 8 月，隶属深圳国资委。据媒体报道，新凯来由华为“星光工程事业部”拆分组建，其核心团队  
拥有 20 年以上的电子设备研发经验，并与国内半导体产业链上下游深度绑定。深圳国资委不仅提供资金支持，还通过政策倾斜推动其与中芯国际、长江存储等头部晶  
圆厂合作，加速产品验证与市场导入。新凯来在半导体设备领域发展迅速，其设备在薄膜沉积、刻蚀、量检测等关键技术上取得突破，性能接近国际水平，部分产品已  
进入量产阶段。新凯来首次参展即发布 31 款设备，覆盖刻蚀（ETCH）、薄膜沉积（ALD/PVD/CVD）及量测检测全流程，核心零部件 90%以上国产化。其 EPI“峨眉  
山”外延设备适配 12 英寸晶圆，突破国际巨头在外延层技术的垄断；ALD“阿里山”设备薄膜均匀性达纳米级，成本较 AMAT 低 20%-30%，成为中低端市场的有力  
竞争者。  
卓兴半导体：深圳市卓兴半导体科技有限公司（ASMADE）成立于 2015 年，主要产品包括先进封装设备、功率器件封装设备、Mini LED 晶片转移设备等。本次  
展会展出高精度贴片机 AS8136 和多功能组焊线 AS2001CLIP，覆盖光模块、功率器件封装等领域，自主化率超 80%，填补国产设备在先进封装细分环节的空白。  
纳设智能：深圳市纳设智能装备股份有限公司（Naso Tech）成立于 2018 年 10 月，核心产品包括第三代半导体碳化硅外延设备，其自主研发的 SiC 高温化学气  
相沉积外延设备，是中国首台完全自主创新的设备。本次展会发布8 英寸碳化硅外延设备全自动双腔系统，通过多区进气技术将外延缺陷率降低 30%，产能提升显著。  
芯三代：芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司（SiCentury）成立于 2020 年 9 月，主要产品包括 6 英寸和 8 英寸兼容的碳化硅（SiC）外延设备。本次展会推  
出垂直式 6/8 英寸兼容 SiC 外延设备，已在头部客户实现批量出货，外延片均匀性达国际水平。  
根据 MIR 研究，截止到 2024 年，中国晶圆制造设备综合本土化率已达 25%（按市场规模计算），其中清洗、CMP、PVD 设备本土化率已超 35%。新老设备厂商  
的持续发力助力晶圆制造设备国产化率不断提升。  
2024 年主要晶圆制造设备本土化率情况  
数据来源：MIR DATABANK  
2. 半导体材料产商：从国产替代到国际竞争力  
2.1 光刻胶：填补高端空白  
北京科华：北京科华微电子材料有限公司（Kempur）成立于 2004 年 8 月，主要产品涵盖 KrF（248nm）、I-line、G-line、紫外宽谱的光刻胶及配套试剂，是中  
国首个在光刻胶领域拥有自主知识产权的企业。MIR 分析师在展会上获悉，其 28nm KrF 光刻胶已实现了 90°±0.5°侧壁垂直度和 99.5%良率。  
徐州博康：徐州博康信息化学品有限公司（BC Pharma）成立于 2010 年 3 月，主要产品包括 ArF/KrF 光刻胶单体及光刻胶、G 线/I 线光刻胶、电子束光刻胶等，  
是中国唯一一家实现“单体-树脂、光酸-光刻胶”全产业链覆盖的光刻胶供应商。MIR 分析师在展会上获悉，其 i-line 光刻胶分辨率达 1.5μm，金属离子含量  
<0.01ppb，已进入 TSV 封装市场。  
2.2CMP 材料：核心技术持续突破  
安集科技：安集微电子科技（上海）股份有限公司（ANJI）成立于 2006 年 2 月，主要产品包括不同系列的化学机械抛光液（CMP）、功能性湿电子化学品和电镀  
液及添加剂系列产品，是中国 CMP 抛光液领域的龙头企业。MIR 分析师在展会上获悉，其第三代氧化物 CMP 浆料在 3D NAND 工艺中碟形缺陷控制±2nm，寿命延  
长 40%。  
鼎龙股份：湖北鼎龙控股股份有限公司（Dinglong）创立于 2000 年 7 月，主要业务涵盖半导体制造用 CMP 工艺材料、晶圆光刻胶、半导体显示材料和半导体先  
进封装材料。MIR 分析师在展会上获悉，其抛光液添加剂纯度达 99.999%。  
2.3 第三代半导体材料：大尺寸与高纯度突破  
天岳先进：山东天岳先进科技股份有限公司（SICC）成立于 2010 年 11 月，主要产品包括导电型和半绝缘型碳化硅衬底，其半绝缘型碳化硅衬底市占率连续多年  
位居全球前三，2023 年导电型碳化硅衬底市场占有率跃居全球第二。在本次展会上，全球首发全系列 6/8/12 英寸碳化硅衬底，12 英寸产品晶粒产出量提升 2.5 倍，  
微管密度<1/cm²，适配新能源汽车 800V 平台。  
天科合达：北京天科合达半导体股份有限公司（TankeBlue）成立于 2006 年 9 月，由新疆天富集团和中国科学院物理研究所共同设立，是中国首家专业从事碳化  
硅晶片研发和生产的企业，拥有完整的碳化硅晶片生产线，在导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一。本次展会推出 8 英寸光波导型衬底（透光率>95%），解决 AR  
眼镜彩虹纹难题。  
中国半导体材料国产化率近年来快速提升，但仍呈现“结构性分化”特点：成熟制程材料替代率显著提高，但高端材料仍依赖进口，部分领域技术瓶颈亟待突破。  
根据 MIR 研究，截止到 2024 年，中国大陆主要的晶圆制造材料国产化率仍然较低，普遍仍在 40%以下，部分关键材料如光刻胶仅 13%。  
2024 年中国大陆晶圆制造材料本土化率  
数据来源：MIR DATABANK  
3. 半导体零部件厂商：产品更全面，高精度突围  
3.1 射频电源与等离子体源  
吉兆源科技：北京吉兆源科技有限公司（GMPOWER）成立于 2012 年 2 月，主要研发和生产射频电源、射频自动匹配器及溅射用直流电源。本次展会推出半导体  
射频电源系列（如射频 RPS 系列、ESC 静电卡盘电源系列），支持刻蚀和薄膜沉积设备，重复定位精度达±0.1mm，适配先进制程需求。  
富创精密：沈阳富创精密设备股份有限公司（Fortune Semi）成立于 2008 年 6 月，产品包括工艺零部件、结构零部件、模组产品和气体管路。富创精密是中国领  
先的半导体零部件核心制造商，其高耐腐蚀、超高洁净零部件已在 7nm 制程工艺设备中广泛应用。本次展会推出包括适配光刻机、刻蚀机等设备的真空卡盘、射频电  
源、温控模块等，覆盖 7nm 及以下先进制程需求，性能对标国际水平。  
英杰电气：四川英杰电气股份有限公司（INJET）成立于 1996 年 1 月，主要产品包括系列功率控制器、铸锭炉电源、还原炉电源等。MIR 分析师在展会上获悉，  
其射频电源及匹配器适配刻蚀、薄膜沉积等工艺，支持高频稳定能量输出；RPS 远程等离子源：优化刻蚀与清洗工艺的稳定性，降低能耗 30%。  
恒运昌：深圳市恒运昌真空技术有限公司（CSL）成立于 2008 年 11 月，主要产品包括射频电源系统、真空卡盘等，适用于刻蚀机、薄膜沉积设备，覆盖 5 纳米先  
进制程需求。MIR 分析师在展会上获悉，其射频电源系统适配刻蚀机、薄膜沉积设备，覆盖 5 纳米先进制程需求。  
沃特塞恩：深圳市沃特塞恩科技有限公司（Wattsine）成立于 2014 年 11 月，主要产品为固态微波远程等离子体源（RPS），解决半导体刻蚀与清洗工艺中的高稳  
定性需求，已进入碳化硅外延设备验证阶段。本次展会展示固态微波远程等离子体源（RPS），解决半导体刻蚀与清洗工艺中的高稳定性需求，已进入碳化硅外延设备验  
证阶段。  
3.2 静电卡盘  
吉兆源科技：北京吉兆源科技有限公司（GMPOWER）成立于 2012 年 2 月，主要研发和生产射频电源、射频自动匹配器及溅射用直流电源。MIR 分析师在展会  
上获悉，其 ESC 静电卡盘电源系列已实现纳米级电压稳定性（±0.1%），适配高精度刻蚀机。  
长风电子：浙江长风电子有限公司（ZJCF）成立于 1984 年 5 月，主要从事电子仪器用轻触开关、微动开关、AV 插座、麦克风插座、连接器、塑胶件、冲压件等  
系列产品的生产。MIR 分析师在展会上获悉，其与韩国 KSTE 合作开发的静电卡盘，计划实现中国本土量产，解决刻蚀机、薄膜沉积设备国内空白问题。  
英杰电气：MIR 分析师在展会上获悉，其E-Chuck 静电卡盘电源实现纳米级电压控制（±0.1%），适配高精度刻蚀设备。  
3.3 泵与真空系统  
北仪优成：北京北仪优成真空技术有限公司（Beiyi Woosung）成立于 2002 年 11 月，主要产品包括 TRP 系列双级旋片泵、RPF 系列液力偶合罗茨泵、SRP 系列  
单级旋片泵、罗茨泵真空机组等。本次展会推出 TRP 双级旋片式真空泵和液力耦合罗茨泵，适配半导体制造中的高洁净度需求。  
浙江启尔机电：浙江启尔机电技术有限公司（CheerTech）成立于 2013 年 5 月，主要研发、生产和销售高端半导体装备超洁净流控系统及其关键零部件，包括高  
端光刻机浸液系统、磁悬浮泵、波纹管泵（风囊泵）等。MIR 分析师在展会上获悉，其磁悬浮泵和波纹管泵（风囊泵）已实现无油污染，可为晶圆厂提供超洁净流控  
解决方案。  
半导体零部件需满足高精度、高洁净度、耐腐蚀性、超长寿命等严苛要求，高端技术国内外供应商差距显著，如国产射频电源与等离子体源功率稳定性、波形控制  
等参数与美企 MKS、AE 差距较大。但由于近两年美国制裁的不断加剧，外资关键零部件供应商在华限售，倒逼国产零部件厂商不断进行技术升级。  
国产设备厂商一方面寻求欧美及日韩零部件厂商替代（如霍廷阁、Daihen、LK 等），一方面不断扶持国内零部件供应商的发展（如华创扶持自有品牌华丞电子，使  
用恒运昌、联影等国产供应商）。此次新凯来的设备零部件 90%以上是自研及国产供应商，也进一步体现了国产零部件供应能力的进一步加强。  
4. 中国半导体发展趋势总结  
根据 MIR DATABANK 数据显示，2024 年中国半导体晶圆制造设备市场规模达 2300 多亿元，达到历史高点，全年市场规模总体保持上涨趋势，同比增长 19.4%。  
2018~2024 年中国大陆晶圆制造设备市场规模（百万人民币）  
数据来源：MIR DATABANK  
中国作为全球最大的半导体消费市场，在半导体设备、材料、关键零部件领域一直被外资厂商所主导，中国大陆市场一直是 ASML、TEL、SCREEN 等外资厂商最  
重要的营收来源之一。但近两年国家集成电路产业投资基金（大基金）、税收优惠等政策持续推动半导体设备国产化、原材料突破、关键零部件自主供应；设备厂商与  
晶圆厂、材料企业形成联合开发机制，缩短验证周期。  
半导体设备：目前，中国半导体设备已从单一产品突破转向全流程覆盖，刻蚀、薄膜沉积、离子注入等核心设备国产化率显著提升。支持 5nm 制程的 ALD 设备、高精  
度离子注入机等产品性能对标国际水平，填补了高端设备空白。同时，先进封装技术（如 3D 集成、Chiplet）的突破推动国产设备在 AI 芯片、汽车电子等领域的应用。  
半导体材料：关键材料如碳化硅（SiC）衬底、高纯度电子特气、光刻胶等实现国产替代。12 英寸碳化硅衬底成本降低 30%，第三代半导体在新能源汽车、光伏等领域  
的商业化加速。此外，抛光液、抛光垫等材料市占率不断提升，逐渐打破海外垄断。  
半导体零部件：中国半导体零部件产业正经历从“低端”向“高端”的转型，机械、陶瓷等中低端领域已形成竞争力，但射频电源、真空阀等高端产品仍需突破。未来，  
通过产业链协同（设备-材料-制造）、技术创新和资本整合（并购/全球化布局），国产零部件厂商将逐渐向一线梯队进阶，并进入到全球市场供应链当中。